| 姓 名： | 王信 |
|---|---|
| 性 别： | 女 |
| 职 务： | |
| 职 称： | |
| 通讯地址： | 乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
| 邮政编码： | 830011 |
| 电子邮件： | wangxin210@ms.xjb.ac.cn |
简历：
2013.09-2016.07 澳客彩票 博士
2010.09-2013.07 澳客彩票 硕士
2016.07-2009.07 河北工业大学 电子科学与技术 学士主要研究领域及成就：
目前从事空间用模拟集成电路辐射损伤机理、工艺评估及抗辐射加固技术研究，基于国内主流模拟集成电路工艺线，开展模拟集成电路辐射损伤缺陷的表征及计算、工艺评价、抗加技术及验证性研究。发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利2项，主持国家自然科学基金、中科院西部人才项目2项，以骨干身份参与军科委基础加强项目及其他国家级项目、中国工程物理研究院及中国电子科技集团横向合作项目等。代表性文章：
[1] Xin Wang, Wu Lu, Wuying Ma , Zhikuan Wang, Chenfa He, Mohan Liu, Xiaolong Li, Jincheng Jia. Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure[J]. Chinese Physics Letters,2016,33(8):086101 (3pp);
[2] Xin Wang , Wu Lu, Shuai Yao, Xiaolong Li, Jing Sun. Accelerated Test of ELDRS at Ultra-Low Dose Rates for Bipolar Devices[C]// 2018 18th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS). 2018.
[3] 王信,陆妩,吴雪,马武英,崔江维,刘默寒,姜柯.深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究[J].物理学报,2014,63(22):262-269..
[4] 王信,陆妩,郭旗,吴雪,席善斌,邓伟,崔江维,张晋新.12位LC2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应[J].原子能科学技术,2013,47(12):2355-2360.
[5] Xin Wang, Wu Lu, Qi Guo, Xue Wu, Shanbin Xi, Wei Deng, Jiangwei C, Jinxin Zhang. Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters[J].Journal of Semiconductors, 2013, 34(12): 57-63.
[6] 张晋新,王信,郭红霞,冯娟,吕玲,李培,闫允一,吴宪祥,王辉.基于三维数值仿真的SiGe HBT总剂量效应关键影响因素机理研究[J/OL].物理学报:1-17[2022-05-17].
[7] Xiaolong Li, Wu Lu, Xin Wang, Xin Yu, Qi Guo, Jing Sun, Mohan Liu, Shuai Yao, Xinyu Wei, Chengfa He. Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor[J].Chinese Physics B,2018,27(03):346-354.研究领域：
固体辐射物理研究领域：
